[发明专利]判断多量子阱发光二级管材料中高效量子结构存在的方法

摘要

本发明公开了一种判断多量子阱发光二级管材料中高效量子结构存在的方法。该方法是通过注入电流的变化，利用显微荧光光谱仪的面扫描功能对LED发光表面进行光谱扫描测量，根据测得的显微发光光谱线型的演化来判断这种高效量子结构的存在。本发明方法操作简便，无破坏性；不仅可以明确多量子阱外延层中的量子结构，及时推进生产工艺的改进；还可对其在工作电流下发光效率的高低进行预测，有利于器件产品的应用分级，对于产品升级换代、降低成本和提高生产效率都具有重要意义。

主权项

1.一种判断多量子阱发光二级管材料中高效量子结构存在的方法，其特征在于具体步骤如下：§A.将按照工业生产过程制备的多量子阱LED芯片，置于显微荧光光谱仪的物镜下，接通电源使LED发光，调节焦距，将物镜焦点聚在LED发光面上；§B.第一次测量：调节电源，使注入电流处于能使LED发光的最小值，利用显微荧光光谱仪的面扫描功能对LED发光表面进行光谱扫描测量，并由光谱仪的CCD探测器采集每一个测量微区的电致发光光谱，扫描面积为LED发光表面的实际大小，扫描步长小于10μm，大于1μm；微区直径为1-5μm之间；§C.第二次测量：注入电流增大50-100μA，按步骤§B及条件进行第二次光谱扫描测量，得到此电流下与步骤§B相同所测区域各个微区的电致发光光谱；§D.第三次测量：注入电流再增大500～1500μA，按步骤§B及条件进行第三次光谱扫描测量，得到此电流下与步骤§B相同所测区域各个微区的电致发光光谱；§E.对第一次、第二次和第三次所测LED发光面各点的电致发光光谱线型进行比较，若第一次所测点的光谱线型为单峰线型；这些测量点在第二次测量时，在发光光谱高能量一侧出现新的发光峰，光谱为双峰线型；在第三次测量时，高能量一侧的发光峰明显减弱或消失，则说明在此LED材料中存在高效量子结构。