[发明专利]低阻值高B值的片式NTC热敏电阻及其制造方法无效
| 申请号： | 200710172253.7 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101183578A | 公开（公告）日： | 2008-05-21 |
| 发明（设计）人： | 李金琢;张子川;杨彬;钱朝勇;沈十林 | 申请（专利权）人： | 上海维安热电材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/04 | 分类号： | H01C7/04 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 200092上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种低阻值高B值的片式NTC热敏电阻，由芯片基材、基材表面釉料，以及在基材两端引出金属电极构成，通过印制线路板工艺制成表面贴装型结构，其中，所述芯片基材的原料为锰－钴二元系氧化物热敏材料，并掺入掺杂剂硅、钙、镁、锆、锌的化合物中的一种或其组合。制造方法包括将原料、水、球按质量比1∶2∶2～4装入球磨设备湿法球磨、烧结、磨片、划粒、封端，制成成品，其中，原料为先加入锰－钴二元系氧化物，再加入掺杂剂，然后再次加入锰－钴二元系氧化物。优点是：本发明的片式NTC热敏电阻元件型号0603 5k可以做到B值3950以上，型号0805 6.8k可以做到B值4250左右，实现热敏电阻元件低阻值、高B值的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 阻值 ntc 热敏电阻 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低阻值高B值的片式NTC热敏电阻，由芯片基材、基材表面釉料，以及在基材两端引出金属电极构成，通过印制线路板工艺制成表面贴装型结构，其特征在于：所述芯片基材的原料为锰-钴二元系氧化物热敏材料，并掺入掺杂剂硅、钙、镁、锆、锌的化合物中的一种或其组合。
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