[发明专利]一种用于嵌入式闪存自对准源漏极的侧墙制造方法

摘要

一种用于嵌入式闪存自对准源漏极的侧墙制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成浅沟槽隔离结构、逻辑器件区域和闪存器件区域；依次沉积底层二氧化硅层、中层氮化硅层、顶层二氧化硅层三层电介质薄膜；刻蚀顶层二氧化硅层和中层氮化硅层形成D形侧墙结构；刻蚀停止在底层二氧化硅层；涂布掩盖逻辑器件部分，进行闪存器件的漏极离子注入；去除光刻胶，刻蚀二氧化硅，中层氮化硅层上的二氧化硅以及衬底表面剩余的底层二氧化硅层都被去除，形成L形侧墙结构；涂布光刻胶掩盖闪存器件区域，进行逻辑器件的源漏极注入。本发明同时满足了闪存器件和逻辑器件对侧墙的要求，并且可以分别根据逻辑器件和闪存器件的特性要求进行源漏注入条件的优化。

主权项

1.一种用于嵌入式闪存自对准源漏极的侧墙制造方法，其特征在于包括以下步骤：步骤1、在半导体衬底上形成浅沟槽隔离结构、逻辑器件区域和闪存器件区域；步骤2、依次沉积底层二氧化硅层、中层氮化硅层、顶层二氧化硅层三层电介质薄膜；步骤3、刻蚀顶层二氧化硅层和中层氮化硅层形成D形侧墙结构；刻蚀停止在底层二氧化硅层；步骤4、涂布掩盖逻辑器件部分，进行闪存器件的漏极离子注入；步骤5、去除光刻胶，刻蚀二氧化硅，中层氮化硅层上的二氧化硅以及衬底表面剩余的底层二氧化硅层都被去除，形成L形侧墙结构；步骤6、涂布光刻胶掩盖闪存器件区域，进行逻辑器件的源漏极注入。