[发明专利]平衡硅片应力的后道互连实施方法有效
| 申请号： | 200710172269.8 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101183661A | 公开（公告）日： | 2008-05-21 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/31;H01L23/522;H01L23/532 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203上海市张江高科*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种平衡硅片应力的后道互连实施方法，涉及半导体集成电路制造工艺技术领域。现有的后道互连实施方法容易产生很大的应力，给后续工艺步骤增加难度，甚至引起硅片翘曲以及碎片的危险。本发明后道互连实施方法是：在硅片正面进行单步或多步正面薄膜淀积工艺后，根据正面薄膜特性，在硅片背面进行相应的背面薄膜淀积工艺，且正面薄膜和背面薄膜具有相同的应力模式。相对于现有技术，本发明通过在硅片背面进行薄膜淀积工艺来抵消平衡硅片正面薄膜淀积工艺对硅片产生的应力，减小了应力导致的工艺和可靠性问题，避免了硅片严重翘曲甚至碎片的危险，优化了后道工艺，提高了整个后道的性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 平衡 硅片 应力 互连 实施 方法 | ||
【主权项】：
1.一种平衡硅片应力的后道互连实施方法，其特征在于：在硅片正面进行单步或多步正面薄膜淀积工艺后，在硅片背面进行相应的背面薄膜淀积工艺，其中正面薄膜和背面薄膜具有相同的应力模式。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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