[发明专利]L型边墙的形成方法无效
| 申请号： | 200710172929.2 | 申请日： | 2007-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101197265A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 顾学强 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/311;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203上海市张江高科*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种于一L型边墙形成工艺中减少基底表面损伤的方法以及相应的L型边墙的形成方法，其利用湿法腐蚀代替传统的干法刻蚀来处理一介电层，从而减少蚀刻过程中对基底表面的损伤。具体如下：L型边墙形成自一淀积于基底的复合介电层，该复合介电层包括一牺牲层、一介电层以及一氧化层，该减少基底表面损伤的方法即用于复合介电层的蚀刻过程，包括以下步骤：在去除部分牺牲层后，保留剩余牺牲层覆盖的介电层，通过湿法腐蚀去除其余部分的介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 型边墙 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种于一L型边墙形成工艺中减少基底表面损伤的方法，该L型边墙形成自一淀积于带有栅极结构基底的复合介电层，该复合介电层包括一牺牲层、一介电层以及一氧化层，该方法即用于该复合介电层的蚀刻过程，其特征是，包括：保留栅极侧壁上的牺牲层，去除其余部分的牺牲层，而暴露出部分介电层；通过湿法腐蚀去除暴露于外的介电层，而暴露出部分氧化层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司，未经上海集成电路研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710172929.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
