[发明专利]半导体衬底、半导体衬底的制备方法及三维封装方法有效
| 申请号： | 200710173095.7 | 申请日： | 2007-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101471347A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 王曦;肖德元;魏星 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/00;H01L21/20;H01L21/265;H01L21/762;H01L21/84;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所（普通合伙） | 代理人： | 翟 羽 |
| 地址： | 201821*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体衬底，包括器件层、位于器件层下方的绝缘层，还包括位于绝缘层下方的支撑衬底和位于支撑衬底中的剥离层。本发明还提供了半导体衬底的制备方法以及利用此半导体衬底的三维封装方法。本发明的优点在于：可以降低被减薄的衬底的厚度，而且可以提高表面的平整度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 制备 方法 三维 封装 | ||
【主权项】：
1 一种半导体衬底，包括器件层、位于器件层下方的绝缘层，其特征在于，还包括位于绝缘层下方的支撑衬底和位于支撑衬底中的剥离层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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