[发明专利]一种提高P阱栅氧化层电学厚度测量精确性的测量结构有效
| 申请号： | 200710173158.9 | 申请日： | 2007-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101217137A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 黎坡;胡剑 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种提高P阱栅氧化层电学厚度测量精确性的测量结构，包含P阱，围设在P阱底部和两侧的，与P阱直接连接的P型衬底，衬底引出极B端和栅电极G端，还包含一N阱结构；该栅电极G端分别设置在P阱上端和P型衬底上端，通过引线连接构成一测量端点；该N阱结构设置在P型衬底栅电极G端的下部，其底部和两侧围设有所述的P型衬底，包含若干依次分离设置在P型衬底栅电极G端的下部的STI结构，一围设在该若干STI结构的底部和两侧N阱层和一设置在N阱层的下部深N阱层。本发明提供的提高P阱栅氧化层电学厚度测量精确性的测量结构，可使得在正常WAT测试条件下，P阱栅氧化层厚度的测量误差达到最小，大大提高测量的精确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 氧化 电学 厚度 测量 精确性 结构 | ||
【主权项】：
1.一种提高P阱栅氧化层电学厚度测量精确性的测量结构，包含P阱(1)，围设在P阱(1)底部和两侧的P型衬底(2)，以及衬底引出极B端(3)和栅电极G端(4)，其特征在于：还包含一N阱结构(9)；所述的P型衬底(2)与P阱(1)直接连在一起；所述的栅电极G端(4)分别设置在P阱(1)的上端和P型衬底(2)的上端，通过引线连接构成一测量端点；所述的N阱结构(9)设置在P型衬底(2)的栅电极G端(4)的下部，该N阱结构(9)的底部和两侧围设有所述的P型衬底(2)；其包含若干STI结构(10)，一N阱层(11)和一深N阱层(12)；所述的若干STI结构(10)依次分离设置在P型衬底(2)的栅电极G端(4)的下部；所述的N阱层(11)围设在该若干STI结构(10)的底部和两侧；所述的深N阱层(12)设置在该N阱层(11)的下部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710173158.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
