[发明专利]EDMOS高压器件的制造方法无效
| 申请号： | 200710173165.9 | 申请日： | 2007-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101197291A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 王磊;王俊 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种EDMOS高压器件的制造方法。所述EDMOS高压器件包括衬底以及形成于衬底表面的栅极，所述制造方法包括如下步骤：向衬底进行一次离子注入，在栅极旁侧形成轻掺杂漂移区；采用氧化或者淀积步骤在衬底表面形成氧化物或者氮化物，然后进行刻蚀步骤，在栅极两侧形成侧墙；利用侧墙向轻掺杂漂移区进行自对准离子注入，形成重掺杂漂移区，EDMOS高压器件的源漏极自重掺杂漂移区的引出。本发明采用侧墙进行自对准离子注入，不需要额外的光罩，降低了生产成本；形成了栅极端轻掺杂、漏极端重掺杂的渐进漂移区结构，这样在击穿电压可以满足要求的基础上有效降低了器件的衬底电流双峰的峰值。 | ||
| 搜索关键词： | edmos 高压 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种EDMOS高压器件的制造方法，所述EDMOS高压器件包括衬底以及形成于衬底表面的栅极，其特征在于，所述制造方法包括如下步骤：a.向衬底进行一次离子注入，在栅极旁侧形成轻掺杂漂移区；b.采用氧化或者淀积步骤在衬底表面形成氧化物或者氮化物，然后进行刻蚀步骤，在栅极两侧形成侧墙；c.利用侧墙向轻掺杂漂移区进行自对准离子注入，形成重掺杂漂移区，EDMOS高压器件的源漏极自重掺杂漂移区的引出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
