[发明专利]一种镁二次电池正极材料及其制备方法无效
申请号: | 200710173280.6 | 申请日: | 2007-12-27 |
公开(公告)号: | CN101217194A | 公开(公告)日: | 2008-07-09 |
发明(设计)人: | 杨军;冯真真;努丽燕娜;王久林 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01M4/58 | 分类号: | H01M4/58;H01M4/48;H01M4/04;C01B33/20;C01F5/00 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 | 代理人: | 罗荫培 |
地址: | 200240*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种镁二次电池正极材料及其制备方法,该正极材料为碳包覆硅酸锰镁,其化学结构式为MgxMnySiO4/C,其中1≤x≤1.03,0.97≤y≤1,按质量百分比,硅酸锰镁的含量为83.2~100%,碳的含量为0~16.8%,为灰色到黑色粉末。以纳米二氧化硅作为硅源,采用改性溶胶-凝胶法获得硅酸锰镁前驱体,经过包覆碳处理,继之以保护气氛条件下的热处理,得到一种镁二次电池正极材料。具有良好的电化学充放电行为,稳定放电平台达1.6V(vs.Mg/Mg2+),小电流充放电条件(C/100)下放电容量可达243.9mAh·g-1(理论容量的78%),与目前镁二次电池较为理想的正极材料Mo3S4相比,碳包覆硅酸锰镁具有制备简单、容量大、电压平台高等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 二次 电池 正极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种镁二次电池正极材料,其特征在于该材料的结构组成如下:由碳包覆硅酸锰镁组成,化学结构式为MgxMnySiO4/C,其中1≤x≤1.03,0.97≤y≤1;按质量百分比,硅酸锰镁的含量为83.2~100%,碳的含量为0~16.8%;为灰色到黑色粉末。
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