[发明专利]一种可提高空间成像套刻检验精准度的光刻方法无效
| 申请号： | 200710173579.1 | 申请日： | 2007-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101216667A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 李杰;顾以理;朱亮 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/039;G03F7/38;G03F7/40;G03F7/26;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种可提高空间成像套刻检验精准度的光刻方法，用于将该光罩上的图形转移到涂布在硅衬底上的光刻胶上，该光罩上具有多个空间成像套刻标记图形。现有技术光刻时前烘工艺温度过低致使光刻胶硬度不足从而在后续曝光工艺所产生的氮气冲击下发生变形，从而出现承载空间成像套刻标记图形的光刻胶的边缘斜坡过宽且不均匀的现象。本发明的可提高空间成像套刻检验精准度的光刻方法先涂布光刻胶；接着进行温度范围为115至125摄氏度的前烘工艺；然后使用光罩进行曝光工艺；最后进行显影和后烘工艺。本发明可大大改善承载该空间成像套刻标记图形的光刻胶边缘的斜坡过宽且不均匀的现象，并大大提高空间成像套刻检验的精准度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 空间 成像 检验 精准 光刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种可提高空间成像套刻检验精准度的光刻方法，用于将光罩上的图形转移到涂布在硅衬底上的光刻胶上，该光罩上具有多个空间成像套刻标记图形，该方法包括以下步骤：a、在该硅衬底上涂布光刻胶；b、进行前烘工艺；c、进行曝光工艺以将光罩上的空间成像套刻标记图形转移到该光刻胶上；d、进行显影工艺；e、进行后烘工艺；其特征在于，在步骤b中，该前烘工艺的温度范围为115至125摄氏度。
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