[发明专利]五氧化三钛晶体的坩埚下降法生长方法有效
| 申请号： | 200710173604.6 | 申请日： | 2007-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101280456A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 李新华;吴宪君 | 申请（专利权）人： | 上海晶生实业有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B11/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 200443上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供生长五氧化三钛晶体的坩埚下降法生长方法，包括：(1)将原料TiO2和Ti按Ti3O5配料，混合均匀、压块；(2)压块原料装入坩埚中，坩埚转移至高温下降炉内，对整个系统升温抽真空至10－3－10－4Pa，当炉温达到1400－1700℃时充入惰性保护气体，继续升温至1800－1900℃；(3)炉温达到设定温度后，保温3－6小时，原料熔化充分，晶体生长的固液界面温度梯度在20－60℃/cm的范围内，坩埚下降速率在0.1－5.0mm/h之间；(4)待晶体生长结束后，在生长炉内适当位置保温10－24小时，然后以25－80℃/h的速度将炉温降至室温，对所生长的晶体进行退火处理。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 晶体 坩埚 下降 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种生长五氧化三钛晶体的坩埚下降法生长方法，包括以下步骤：(1)将原料TiO2和Ti按Ti3O5配料，混合均匀、压块；(2)将步骤(1)得到压块的原料装入坩埚中，坩埚转移至高温下降炉内，对整个系统升温并抽真空至10-3-10-4Pa，当炉温达到1400-1700℃时充入惰性保护气体，继续升温至设定温度，所述设定温度在1800-1900℃的范围内；(3)炉温达到设定温度后，保温3-6小时，使原料熔化充分，晶体生长的固液界面温度梯度在20-60℃/cm的范围内，坩埚下降速率控制在0.1-5.0mm/h之间；(4)待晶体生长结束后，在生长炉内适当位置保温10-24小时，然后以25-80℃/h的速度将炉温降至室温，对所生长的晶体进行退火处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海晶生实业有限公司，未经上海晶生实业有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710173604.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
