[发明专利]氧化硅基复合金属氧化物的制备方法无效
| 申请号： | 200710173616.9 | 申请日： | 2007-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101230269A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 刘志成;施剑林;陈航榕;华子乐;步文博;张玲霞;李蕾 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C09K11/59 | 分类号： | C09K11/59 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 20005*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氧化硅基复合金属氧化物的制备方法，属于荧光材料领域。本发明通过金属源加热形成的蒸气与氧化硅基体在高温下反应来制备，提高反应温度和时间可以增加氧化硅基体中金属元素的含量，并提高发光强度；改变金属蒸气种类和氧化硅基体的种类可以得到一系列荧光材料，并且可以改变它们的荧光性能。本方法具有制备方法简单、发光强度可调、基体材料形状不限、可制备荧光材料种类多等特点，可适用于荧光灯、显示板、阴极射线管和紫外线探测器以及光学传感器等方面。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 复合 金属 氧化物 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.氧化硅基复合金属氧化物的制备方法，其特征在气氛炉中，将金属源加热形成蒸气，用惰性气体将金属蒸气带入与氧化硅基体材料在金属熔点温度以上反应，然后停止加热，在惰性气体保护下冷却至室温。
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