[发明专利]高纯度二氧化硅与冶金级多晶硅的制法有效
| 申请号： | 200710175359.2 | 申请日： | 2007-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101397138A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 丁原杰;曾忠璿 | 申请（专利权）人： | 丁原杰 |
| 主分类号： | C01B33/12 | 分类号： | C01B33/12;C01B33/021 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄 挺 |
| 地址： | 中国台湾台中*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高纯度二氧化硅与冶金级多晶硅的制法，高纯度二氧化硅的制法是先将预定比例的二氧化硅均匀溶解于氟化氨水溶液中并加热，再加入预定温度的热水于溶液中予以搅拌，并过滤固体残留物，继而将过滤后的溶液降温至室温，可获致氟化硅铵盐晶体，再重复前述二步骤预定次数可获致预定纯度的氟化硅铵盐晶体，再导入大量氨气并以预定温度加热氟化硅铵盐晶体以进行化学反应，即可得到高纯度二氧化硅。而冶金级多晶硅的制法是取氟化硅铵盐为原料，将其置于容器内并通入氢/氩混合气，再加热该容器使氟化硅铵盐、氢/氩混合气产生还原反应，预定时间后停止加热，使该容器自然冷却，待其冷却至适当温度后停止通入氢/氩，最后，即可于该容器内产生冶金级多晶硅粉末。 | ||
| 搜索关键词： | 纯度 二氧化硅 冶金 多晶 制法 | ||
【主权项】：
1、一种高纯度二氧化硅的制法，其特征在于，其步骤主要包含有：a)将二氧化硅均匀溶解于氟化氨NH4F水溶液中并以预定温度加热；b)加入预定温度的热水在溶液中予以搅拌，并过滤固体残留物；c)将过滤后的溶液降温至室温，可获致氟化硅铵盐(NH4)2SiF6晶体；d)重复b)至c)步骤预定次数而获致预定纯度的氟化硅铵盐(NH4)2SiF6晶体；e)导入氨气并加热氟化硅铵盐(NH4)2SiF6晶体以进行化学反应，最后，即可得到高纯度二氧化硅。
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