[发明专利]一种非易失性存储器件及其设计方法有效
| 申请号： | 200710175710.8 | 申请日： | 2007-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN101132025A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 朱一明;胡洪 | 申请（专利权）人： | 北京芯技佳易微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/423;H01L29/49;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 许静 |
| 地址： | 100084北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非易失性存储器件及其设计方法：包括：金属层、接触孔、阻挡层和晶体管，晶体管包括多晶硅层，金属层与接触孔形成控制栅；多晶硅层在阻挡层的阻隔下未与接触孔直接连接而形成浮栅；其中，金属层、接触孔、阻挡层和多晶硅层依次连接共同形成电容结构。通过本发明大大提高了控制栅与浮栅耦合电容的电容密度，减小了存储单元的面积，并有利于集成系统的金属线连接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非易失性存储器 及其 设计 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器件，包括：金属层、接触孔、阻挡层和晶体管，其中，晶体管包括多晶硅层，其特征在于，金属层与接触孔形成控制栅；多晶硅层形成浮栅；金属层、接触孔、阻挡层和多晶硅层依次连接形成电容结构。
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