[发明专利]一种准双栅MOS晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 200710176207.4 | 申请日： | 2007-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN101145582A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 张盛东;李定宇;陈文新;韩汝琦 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种准双栅MOS晶体管及其制备方法，属于半导体集成电路制造技术领域。该准双栅MOS晶体管的特征在于，包括一在半导体衬底之上的埋置绝缘层，所述埋置绝缘层呈凹形结构；半导体源区和漏区分别嵌入所述凹形结构埋置绝缘层的两个突起内侧，而沟道区位于埋置绝缘层中央凹陷处，所述半导体沟道区两端分别与所述源区和漏区相连；栅介质层位于半导体沟道区之上；栅电极位于栅介质层之上；栅电极侧墙介质层位于栅电极两侧，所述沟道区的上部轻掺杂或未掺杂，其下部重掺杂；准栅电极通过接触孔与沟道区的重掺杂区相连。与现有类似的准双栅MOS晶体管相比，本发明MOS晶体管的偏置电压所受限制减小，寄生效应也大为降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 准双栅 mos 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种准双栅MOS晶体管，包括一源区、一漏区、一埋置绝缘层、一半导体衬底、一栅电极、一准栅电极以及栅介质层、栅电极侧墙介质层和半导体沟道区，其特征在于：所述埋置绝缘层在半导体衬底之上，所述半导体沟道区、源区和漏区位于埋置绝缘层之上，所述埋置绝缘层呈凹形结构；所述半导体源区和漏区分别嵌入所述凹形结构埋置绝缘层的两个突起内侧，而沟道区位于埋置绝缘层中央凹陷处，所述半导体沟道区两端分别与所述源区和漏区相连；所述栅介质层位于半导体沟道区之上；所述栅电极位于栅介质层之上；所述栅电极侧墙介质层位于栅电极两侧，所述沟道区的上部轻掺杂或未掺杂，其下部重掺杂；所述准栅电极通过接触孔与沟道区的重掺杂区相连。
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