[发明专利]一种基于E PHEMT的单刀双掷开关

摘要

本发明涉及微波电路技术领域，公开了一种基于增强型(enhancement-mode)PHEMT的单刀双掷微波开关。该微波开关包括六个增强型场效应晶体管、六个限流电阻、三个隔直电容、五段微带线和两个电压控制端。这种基于E PHEMT的单刀双掷微波开关，采用串并联结构微波开关以及基于E/D HEMT的DCFL反相器，利用反相器的输入/输出信号分别控制两个传输路径的导通和关断，并获得了良好的微波开关性能。利用本发明，实现了正向电压(0～1V)控制开关状态，实现了正电源供电的控制电路实现单片集成。

主权项

1、一种基于增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管E PHEMT的单刀双掷微波开关，其特征在于，该微波开关包括六个E PHEMT、六个限流电阻、三个隔直电容、五段微带线和两个电压控制端；所述第一电压控制端V1的正极通过第一限流电阻R1与第一增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管E PHEMT1的栅极连接，通过第五限流电阻R5与第五增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管E PHEMT5的栅极连接，通过第六限流电阻R6与第六增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管E PHEMT6的栅极连接；所述第二电压控制端V2的正极通过第二限流电阻R2与第二增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管E PHEMT2的栅极连接，通过第三限流电阻R3与第三增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管E PHEMT3的栅极连接，通过第四限流电阻R4与第四增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管E PHEMT4的栅极连接；所述E PHEMT1的源极直接与E PHEMT4的漏极连接，通过第二微带线L2与E PHEMT3的漏极连接，并通过第二微带线L2和第三微带线L3与第二隔直电容C2连接；所述第二隔直电容C2的另一端接第一信号输出端RF OUT1；所述E PHEMT2的源极直接与E PHEMT5的漏极连接，通过第四微带线L4与E PHEMT6的漏极连接，并通过第四微带线L4和第五微带线L5与第三隔直电容C3连接；所述第三隔直电容C3的另一端接第二信号输出端RF OUT2；所述E PHEMT1、E PHEMT2的漏极通过第一微带线L1与第一隔直电容C1连接；所述第一隔直电容C1的另一端接信号输入端RFIN；所述E PHEMT3、E PHEMT4、E PHEMT5、E PHEMT6的源极以及第一电压控制端V1、第二电压控制端V2的负极均接地。