[发明专利]用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法有效
| 申请号： | 200710176930.2 | 申请日： | 2007-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN101430503A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 涂德钰;刘明;谢常青;刘新华;商立伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/42;G03F7/26;G03F7/32;C23C14/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法，包括：清洗基片，烘干；在基片上旋涂LOR型抗蚀剂作为双层胶的底层胶，烘干；在LOR层上旋涂ZEP520型电子束抗蚀剂作为顶层胶，前烘；电子束光刻，对顶层胶进行曝光；对曝光后的顶层胶进行显影、定影，吹干，得到顶层胶光刻图形；利用顶层胶光刻图形做掩蔽，使用LOR腐蚀剂对底层胶进行腐蚀，得到所需的内切图形；在得到的内切图形上蒸发金属；依次去除顶层胶与底层胶，完成剥离工艺，得到所需金属图形。利用本发明，解决了双层胶的内切结构变得模糊不清的问题，具有分辨率高、可靠性高、重复性好等优点，在纳米电子器件制备中有着广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电子束光刻 剥离 去除 双层 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1、清洗基片，烘干；步骤2、在基片上旋涂LOR型抗蚀剂作为双层胶的底层胶，烘干；步骤3、在LOR层上旋涂ZEP520型电子束抗蚀剂作为顶层胶，前烘；步骤4、电子束光刻，对顶层胶进行曝光；步骤5、对曝光后的顶层胶进行显影、定影，吹干，得到顶层胶光刻图形；步骤6、利用顶层胶光刻图形做掩蔽，使用LOR腐蚀剂对底层胶进行腐蚀，得到所需的内切图形；步骤7、在得到的内切图形上蒸发金属；步骤8、依次去除顶层胶与底层胶，完成剥离工艺，得到所需金属图形。
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