[发明专利]一种制作自隔离电阻转变型存储器的方法无效
| 申请号： | 200710176935.5 | 申请日： | 2007-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN101431144A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 管伟华;龙世兵;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子制造及存储器技术领域，公开了一种制作自隔离电阻转变型存储器的方法，包括：A.在绝缘衬底上形成导电薄膜作为下电极；B.在形成下电极的结构上涂敷光刻胶；C.通过光刻方法在上述光刻胶上定义器件的大小；D.依次生长具有电阻转变特性的材料和上电极；E.通过剥离光刻胶的方法释放器件。本发明提供的这种采用一步剥离工艺制作自隔离电阻转变型存储器的方法，具有成本低，制作流程简单，能实现存储器器件单元自隔离的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 隔离 电阻 转变 存储器 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制作自隔离电阻转变型存储器的方法，其特征在于，该方法包括：A、在绝缘衬底上形成导电薄膜作为下电极；B、在形成下电极的结构上涂敷光刻胶；C、通过光刻方法在上述光刻胶上定义器件的大小；D、依次生长具有电阻转变特性的材料和上电极；E、通过剥离光刻胶的方法释放器件。
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