[发明专利]TFT-LCD阵列基板结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200710177428.3 | 申请日： | 2007-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN101435962A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | 郝昭慧;柳在一 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘 芳 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板结构及其制造方法，阵列基板结构包括基板、至少一个栅扫描线、栅绝缘层、数据电极、第一搀杂半导体层、半导体层、第二搀杂半导体层和像素电极，使像素电极与数据电极之间竖直方向的半导体层形成竖直方向的导电沟道。制造方法包括：在基板上形成至少一个栅扫描线；形成栅绝缘层；形成数据电极；依次形成第一搀杂半导体层、半导体层、第二搀杂半导体层和像素电极，使像素电极与数据电极之间竖直方向的半导体层形成竖直方向的导电沟道。本发明形成了一种立式TFT结构，缩短了导电沟道长度，使开关电流增大，TFT-LCD的亮度、响应速度得到提高，改善了TFT-LCD的显示性能。 | ||
| 搜索关键词： | tft lcd 阵列 板结 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种TFT-LCD阵列基板结构，其特征在于，包括：基板，至少一个栅扫描线，形成在所述基板上，至少一侧形成坡面区域；栅绝缘层，形成在所述栅扫描线上，并覆盖整个基板；数据电极，形成在所述栅绝缘层上，一侧边缘位于所述坡面区域之上；第一搀杂半导体层，形成在所述数据电极上；半导体层，形成在所述第一搀杂半导体层上，并覆盖所述栅扫描线的坡面区域；第二搀杂半导体层，形成在所述半导体层上；像素电极，形成在所述第二搀杂半导体层上，使所述像素电极与所述数据电极之间位于所述坡面区域上的半导体层形成竖直方向的导电沟道。
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