[发明专利]一种提高坡莫合金薄膜磁电阻变化率的方法无效
| 申请号： | 200710177706.5 | 申请日： | 2007-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101148754A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 滕蛟;王乐;张金中;王东伟;于广华 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/54;C23C14/06;C23C14/58 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种利用纳米氧化层和真空退火提高坡莫合金薄膜磁电阻变化率的方法，其利用磁控溅射仪，在清洗干净的玻璃基片或硅基片上沉积钽Ta/钴铁CoFe纳米氧化层/镍铁NiFe/钴铁CoFe纳米氧化层/钽Ta多层膜。本发明的优点在于在多层膜的钽Ta/镍铁NiFe和镍铁NiFe/钽Ta界面插入钴铁CoFe纳米氧化层(NOL)，退火时阻止了钽Ta和镍铁NiFe间的扩散，提高坡莫合金薄膜的各向异性磁电阻变化率，同时，薄膜的制备工艺也容易控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 合金 薄膜 磁电 变化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高坡莫合金薄膜磁电阻变化率方法，采用磁控溅射方法，溅射室本底真空度为1×10-5-5×10-5Pa，溅射时氩气气压为0.2-0.4Pa；平行于基片方向加有150-250Oe的磁场，在清洗干净的玻璃基片或单晶硅基片上依次沉积钽Ta、镍铁NiFe、钽Ta，并将样品在真空退火炉中进行退火，其特征在于将CoFe纳米氧化层插入Ta/NiFe和NiFe/Ta界面，沉积的顺序依次是20-60钽Ta、10-50钴铁CoFe纳米氧化层、100-300镍铁Ni81Fe19、10-50钴铁CoFe纳米氧化层(NOL)和20-60钽Ta，退火温度为150-400℃，保温时间为60-180分钟。
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