[发明专利]实现单片集成GaAs基E/D MHEMT的方法无效
| 申请号： | 200710177790.0 | 申请日： | 2007-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN101442025A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 徐静波;张海英;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8232 | 分类号： | H01L21/8232 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种实现单片集成GaAs基E/D MHEMT的方法流程图，该方法利用常规D MHEMT外延材料，在常规D MHEMT外延材料上依次进行如下工艺步骤：源漏制作、台面隔离、增强栅光刻、增强型栅槽腐蚀、蒸发Pt/Ti/Pt/Au作为增强型栅金属、耗尽型栅光刻、耗尽型栅槽腐蚀、蒸发Ti/Pt/Au作为耗尽型栅金属、退火处理、金属布线和金属剥离，实现单片集成砷化镓基增强/耗尽型MHEMT。利用本发明，达到了利用常规D MHEMT外延材料实现单片集成GaAs基E/D MHEMT的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 实现 单片 集成 gaas mhemt 方法 | ||
【主权项】：
1、一种实现单片集成砷化镓基增强/耗尽型高电子迁移率晶体管E/D MHEMT的方法，其特征在于，该方法利用常规耗尽型高电子迁移率晶体管D MHEMT外延材料，在常规D MHEMT外延材料上依次进行如下工艺步骤：源漏制作、台面隔离、增强栅光刻、增强型栅槽腐蚀、蒸发Pt/Ti/Pt/Au作为增强型栅金属、耗尽型栅光刻、耗尽型栅槽腐蚀、蒸发Ti/Pt/Au作为耗尽型栅金属、退火处理、金属布线和金属剥离，实现单片集成砷化镓基增强/耗尽型MHEMT。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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