[发明专利]一次掩膜光刻同时定义有机薄膜晶体管源漏栅电极的方法

摘要

本发明公开了一种有机薄膜晶体管的制备方法，利用一次掩膜光刻同时定义出有机薄膜晶体管的源漏栅电极，包括：在衬底正面形成具有透光性的有机绝缘栅介质层；用保护卡具保护有机绝缘栅介质层，腐蚀衬底的背面至介质层镂空；在有机绝缘层正面和背面涂光刻胶，从正面对光刻胶进行曝光，同时曝光背面光刻胶，在显影液中显影，形成源漏电极的正性光刻胶掩模版和栅电极的负性光刻胶掩模版；在有机绝缘介质层正面、正性光刻胶掩模版、有机绝缘介质层背面和负性光刻胶掩模版上形成金属层，剥离形成源、漏、栅电极；在有机绝缘介质层正面，源漏电极上形成有机半导体层。本发明能够与传统的硅平面工艺兼容，制备的有机薄膜晶体管器件寄生电容小高频特性好。

主权项

1、一种有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，该方法利用一次掩膜光刻同时定义出有机薄膜晶体管的源、漏、栅电极，具体包括以下步骤：在衬底(1)正面形成具有透光性的有机绝缘栅介质层(2)；用保护卡具(7)保护有机绝缘栅介质层(2)，腐蚀衬底(1)的背面至介质层镂空；在有机绝缘层(2)正面和背面涂光刻胶，从正面对光刻胶进行曝光，同时曝光背面光刻胶，在显影液中显影，形成源、漏电极的正性光刻胶掩模版(8)和栅电极的负性光刻胶掩模版(9)；分别在有机绝缘介质层(2)正面、正性光刻胶掩模版(8)、有机绝缘介质层(2)背面和负性光刻胶掩模版(9)上形成金属层，然后剥离形成源(6)、漏(4)、栅(5)电极；在有机绝缘介质层(2)正面，源(6)、漏(4)电极上形成有机半导体层(3)。