[发明专利]一种有机场效应晶体管及其专用源漏电极与制备方法无效
| 申请号： | 200710177814.2 | 申请日： | 2007-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN101442105A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 于贵;狄重安;魏大程;刘云圻;郭云龙;朱道本 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40;H01L51/05;H01L51/30 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 关 畅 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有机场效应晶体管及其专用源漏电极与制备方法。本发明的电极结构有机场效应晶体管，包括栅极电极、介电层、有机半导体层、源电极和漏电极，其中，源电极和漏电极是本发明的图案化石墨烯电极。本发明制备图案化石墨烯电极的方法，包括如下步骤：1)在衬底上沉积金属薄膜，并将所述金属薄膜图案化；2)将沉积有图案化金属薄膜的衬底置于化学气相沉积系统中，在图案化金属电极材料表面上化学气相沉积石墨烯，得到图案化石墨烯电极；其中，化学气相沉积所用的碳源为甲醇、乙醇、丙醇、戊醇、苯、甲苯、二甲苯和甲烷等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有机 场效应 晶体管 及其 专用 漏电 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备图案化石墨烯电极的方法，包括如下步骤：1)在衬底上沉积金属薄膜，并将所述金属薄膜图案化；2)将沉积有图案化金属薄膜的衬底置于化学气相沉积系统中，在图案化金属薄膜表面化学气相沉积石墨烯，得到图案化石墨烯电极。
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