[发明专利]监测干法刻蚀过程的方法及系统有效
| 申请号： | 200710177920.0 | 申请日： | 2007-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN101441984A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 常有军;周贺 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘 芳 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种监测干法刻蚀过程的方法及系统，通过采集等离子体腔室内设定光谱物质在刻蚀过程中的光谱参数，并根据光谱参数生成工作变化曲线；通过工作变化曲线与预先存储的标准变化曲线进行对比，根据得到的对比偏差是否超过设定阈值范围来判断刻蚀过程是否异常。本发明监测及时有效，自动化程度较高，准确性高，易于实现，有效避免了不良产品的出现。 | ||
| 搜索关键词： | 监测 刻蚀 过程 方法 系统 | ||
【主权项】：
1. 一种监测干法刻蚀过程的方法，其特征在于包括：步骤100、采集等离子体腔室内设定光谱物质在刻蚀过程中的光谱参数，并根据所述光谱参数生成工作变化曲线；步骤200、将所述工作变化曲线与预先存储的标准变化曲线进行比较，当对比偏差超出设定阈值范围时，输出报警信息。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京东方光电科技有限公司，未经北京京东方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710177920.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：集中式和分布式调度控制方法和装置
- 下一篇：绕结织物
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
