[发明专利]一种鉴别和测量半导体材料中掺杂元素的方法无效
| 申请号： | 200710178098.X | 申请日： | 2007-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN101446563A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 方锋;郑沉;孔祥玉;孙燕;孙韶辉;周旗钢 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/207 | 分类号： | G01N23/207 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种鉴别和测量半导体材料中掺杂元素的方法，该方法包括：(1)通过一套X-射线衍射装置，向硅晶样品表面发射X-射线，含有掺杂剂的硅晶样品表面在X-射线的轰击下包含掺杂剂元素在内的金属元素发生衍射光谱；(2)通过检测器接收衍射光谱；(3)通过特征光谱谱线位置来判定元素的种类。本发明的优点是：含有的掺杂元素直拉单晶硅材料时不需要特别制样，直拉单晶硅材料是不接触的，不会对直拉单晶硅材料造成沾污，几乎是无损伤的，只需要5-180秒即可显示检测结果，特别适合现场鉴别，同时，本发明提供的方法也可以测量硅晶材料中掺杂剂的含量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 鉴别 测量 半导体材料 掺杂 元素 方法 | ||
【主权项】：
1、一种直拉单晶硅材料中内含掺杂剂的检测、鉴别方法，其特征在于，
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