[发明专利]制作单片集成GaAs基MHEMT和PIN二极管的方法无效
| 申请号： | 200710178320.6 | 申请日： | 2007-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101447450A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 徐静波;张海英;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/822 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制作单片集成GaAs基MHEMT和PIN二极管的方法，该方法依次包括以下工艺步骤：光刻PIN上电极、蒸发上电极金属、剥离上电极金属、PIN台面腐蚀隔离、同时光刻PIN下电极和MHEMT源漏，蒸发PIN下电极和MHEMT源漏金属、剥离PIN下电极和MHEMT源漏金属、欧姆接触合金、MHEMT台面腐蚀隔离、MHEMT栅光刻、栅槽腐蚀、蒸发栅金属、剥离栅金属、生长钝化介质、刻孔、一次布线光刻、蒸发布线金属、剥离布线金属。本发明将GaAs基MHEMT和PIN二极管集成在同一块衬底上，实现了单片集成GaAs基MHEMT和PIN二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 单片 集成 gaas mhemt pin 二极管 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制作单片集成砷化镓GaAs基应变高电子迁移率晶体管MHEMT和PIN二极管的方法，其特征在于，该方法依次包括以下工艺步骤：光刻PIN上电极、蒸发上电极金属、剥离上电极金属、PIN台面腐蚀隔离、同时光刻PIN下电极和MHEMT源漏，蒸发PIN下电极和MHEMT源漏金属、剥离PIN下电极和MHEMT源漏金属、欧姆接触合金、MHEMT台面腐蚀隔离、MHEMT栅光刻、栅槽腐蚀、蒸发栅金属、剥离栅金属、生长钝化介质、刻孔、一次布线光刻、蒸发布线金属、剥离布线金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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