[发明专利]一种半导体制冷的超临界二氧化碳清洗装置无效
| 申请号： | 200710178323.X | 申请日： | 2007-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101447396A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 刘茂哲;高超群;李金宝;景玉鹏;李超波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/306 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体制冷的超临界二氧化碳清洗装置，该装置包括：超临界清洗室，用于硅片的清洗，由高压反应室4和温度控制室5组成；其中，所述高压反应室4位于温度控制室5的上方，用于盛放硅片支架，提供二氧化碳气化清洗的反应室；温度控制室5通过蒸发器盘管与高压反应室4相连，实现高压反应室4的制冷和加热；分离减压室6，通过管道与高压反应室4相连，用于减压后将醇类与二氧化碳分离，并循环使用；所述超临界清洗室与分离减压室6通过支座台2固定连接。利用本发明，解决了微电子工艺中的半导体清洗问题，并降低了对衬底的损伤，循环使用二氧化碳达到了节约能源的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 制冷 临界 二氧化碳 清洗 装置 | ||
【主权项】：
1、一种半导体制冷的超临界二氧化碳清洗装置，其特征在于，该装置包括：超临界清洗室，用于硅片的清洗，由高压反应室(4)和温度控制室(5)组成；其中，所述高压反应室(4)位于温度控制室(5)的上方，用于盛放硅片支架，提供二氧化碳气化清洗的反应室；温度控制室(5)通过蒸发器盘管与高压反应室(4)相连，实现高压反应室(4)的制冷和加热；分离减压室(6)，通过管道与高压反应室(4)相连，用于减压后将醇类与二氧化碳分离，并循环使用；所述超临界清洗室与分离减压室(6)通过支座台(2)固定连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
