[发明专利]一种硅片表面图形刻蚀方法及其硅片

摘要

本发明公开了一种硅片表面图形刻蚀方法，包括如下步骤：1)在硅片表面沉积氮化硅层，然后，刻蚀氮化硅层，在硅片表面形成刻蚀区域；所述刻蚀区域的尺度为0.5－4微米；2)将所述带有刻蚀区域的硅片固定于加有腐蚀液的腐蚀槽中，通电进行阳极氧化反应，在所述刻蚀区域处形成刻蚀图形；所述腐蚀液为氢氟酸和乙醇的混和液或者氢氟酸和二甲基甲酰胺的混和液；通电进行阳极氧化反应的电流密度为5－100mA/cm²。本发明自组装的硅片表面图形刻蚀方法能够非常简便而且有效地在硅表面刻蚀出所需要的图形，所得图形的尺寸在亚微米尺度至纳米尺度范围内，制备过程不需要使用现有光刻技术刻蚀如此量级尺寸所必须的高精密设备，设备、条件要求简单，成本低。

主权项

1.一种硅片表面图形刻蚀方法，包括如下步骤：1)在硅片表面沉积氮化硅层，然后，刻蚀氮化硅层，在硅片表面形成若干刻蚀区域；每个所述刻蚀区域的尺度为0.5-4微米；2)将所述带有刻蚀区域的硅片固定于加有腐蚀液的腐蚀槽中，通电进行阳极氧化反应，在所述刻蚀区域处形成刻蚀图形；所述腐蚀液为氢氟酸和乙醇的混和液或者氢氟酸和二甲基甲酰胺的混和液；通电进行阳极氧化反应的电流密度为5-100mA/cm2。