[发明专利]TFT-LCD阵列基板结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200710178940.X 申请日: 2007-12-07
公开(公告)号: CN101452163A 公开(公告)日: 2009-06-10
发明(设计)人: 王章涛;刘翔;邱海军 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G03F7/00;H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 代理人: 刘 芳
地址: 100176北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种TFT-LCD阵列基板结构及其制造方法,制造方法包括:在基板上沉积栅金属层,通过第一次掩模工艺形成栅电极和栅线;连续沉积栅绝缘层、有源层、源漏金属层和第一钝化层,通过第二次掩模工艺形成第一钝化层、源漏电极、数据线和有源层图形,并形成第一钝化层过孔和第一钝化层沟道窗口;沉积透明导电层,通过第三次掩模工艺形成像素电极,且像素电极通过所述第一钝化层过孔与所述源漏电极连接;进行源漏电极和有源层中掺杂半导体层刻蚀,形成TFT沟道;沉积第二钝化层,通过光刻胶剥离,去除光刻胶上面的第二钝化层。本发明TFT-LCD阵列基板结构的制造方法工艺简单、稳定,不仅缩短了生产周期,而且降低了生产成本。
搜索关键词: tft lcd 阵列 板结 及其 制造 方法
【主权项】:
1. 一种TFT-LCD阵列基板结构,包括栅线和数据线,栅线和数据线限定了像素区域,并在交叉处形成薄膜晶体管,薄膜晶体管与形成在像素区域内的像素电极连接,其特征在于,所述薄膜晶体管的源漏电极上形成有第一钝化层,所述第一钝化层上形成有使所述源漏电极的漏电极与所述像素电极连接的第一钝化层过孔,像素电极以外区域上形成有第二钝化层。
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