[发明专利]一种铌酸盐压电陶瓷及其制备方法无效
| 申请号： | 200710179206.5 | 申请日： | 2007-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101186501A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 邢献然;孙学义;陈骏;于然波;刘桂荣 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;C04B35/622;H01L41/187 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种铌酸盐压电陶瓷及其制备方法，涉及压电材料领域，特别涉及铌酸盐无铅压电陶瓷的制备。压电陶瓷的组成为(1－x)(Na0.5+yK0.5+y)NbO3－xBiScO3，式中x、y表示相应的组分所占摩尔数，其中0.0＜x＜0.02且0.02＜y＜0.05。本发明采用快速升温工艺，将陶瓷生坯以2－8℃/min升温至600℃保温一小时进行排胶，然后以10－20℃/min的速度升温至1000～1200℃，烧结1～10小时。通过掺杂和快速升温工艺结合制得的铌酸钠钾基无铅压电陶瓷，有效地提高了压电性能并保持了高的居里温度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铌酸盐 压电 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铌酸盐压电陶瓷，其特征在于，压电陶瓷组成通式为(1-x)(Na0.5+yK0.5+y)NbO3-xBiScO3，式中x、y表示相应的组分所占摩尔数，其中0.0＜x＜0.02且0.02＜y＜0.05。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京科技大学，未经北京科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710179206.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
