[发明专利]在锑化镓衬底上生长InAsxSb1-x薄膜的方法

摘要

为使GaSb基InAs_xSb_1-x材料实际应用到长波长红外探测器中，本发明提供一种在GaSb衬底上生长InAs_xSb_1-x薄膜的液相外延生长工艺，其主要特征为用原子数比In∶Sb∶As＝1∶y∶(1-y)的源熔体(0.5＜y＜1.0)以1-10K的过冷度在GaSb衬底上生长InAs_xSb_1-x薄膜。该工艺有设备简单，生长费用低的优点，并且所生长的InAs_xSb_1-x薄膜厚度可以达到几十微米，使InAs_xSb_1-x薄膜和GaSb衬底界面上的大晶格失配对InAs_xSb_1-x薄膜的整体性能影响很小。

主权项

1. 一种在锑化镓(GaSb)衬底上外延生长InAsxSb1-x薄膜的液相外延生长方法，其特征在于，步骤包括：1)用石磨或石英制成生长舟，作为生长容器；2)将一衬底置于生长容器中，用于在其上进行外延生长；3)将含有铟(In)、锑(Sb)和砷(As)的源按原子数比In:Sb:As＝1:y:(1-y)配制成生长母源，并将它们放入生长容器中，在外延炉中经充分熔解并均匀混合后，在过冷度为1—10K的条件下进行外延生长，得到生长薄膜。