[发明专利]有机薄膜晶体管的制造方法

摘要

本发明涉及一种有机薄膜晶体管的制造方法，适用于显示器，传感器，无线射频识别RFID标签等领域。该有机薄膜晶体管的结构包括：依次在基底(101)上制作的栅极(102)、栅绝缘层(103)、源极(104)、漏极(105)、表面修饰层(106)、有机半导体层(107)。其中有机半导体层的制备通过可溶性并五苯衍生物先驱物转化为并五苯薄膜来实现。采用这种方法，有机半导体材料利用溶液进行大面积旋涂、打印，完成柔性衬底的大规模集成电路中有机薄膜晶体管的制作，降低有机薄膜晶体管集成电路的制作成本，同时在源极和漏极上采用硫醇溶液形成表面修饰层进一步保证了有机薄膜晶体管具有高的迁移率，低的漏电流及电路工作电压。

主权项

1.一种有机薄膜晶体管的制造方法，该方法是在基底上，依次制作栅极、栅绝缘层、源极、漏极、有机半导体层；其特征是：1)栅绝缘层的制作在栅极上镀250纳米厚的二氧化硅作为栅绝缘层；2)在源极和漏极上制作表面修饰层在基底上依次制作栅极、栅绝缘层、源极、漏极后，将其转移到DEL多功能高真空系统中，放入2滴2wt％硫醇溶液，气相沉积于镀好的源极、漏极上，沉积十五分钟，形成表面修饰层；3)在完成2)后，在其上制作有机半导体层其镀膜工序，采用6，13-取代基的并五苯衍生物TIPS-pentacene[(bia(triisopropylsilylethynyl)pentacene)]其结构式：配制成0.5wt％的甲苯溶液，在90℃时，以2500rpm，旋涂60秒后并五苯衍生物转变为并五苯薄膜，得到有机半导体层；采用该方法制作的有机薄膜晶体管的结构依次为：基底、栅极、栅绝缘层、源极、漏极、表面修饰层、有机半导体层。