[发明专利]形成超低介电层用模板衍生物及其形成超低介电层的方法无效
| 申请号： | 200710180063.X | 申请日： | 2007-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101225193A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 闵成圭;具滋春;安尚太;丁彩吾;安贤珠;李孝硕;金银贞;金赞培 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | C08L5/16 | 分类号： | C08L5/16;C08J5/18;C08J3/24;C08L83/04;C08K5/541;C08J9/26;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 宋莉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 将反应性环糊精衍生物或反应性葡萄糖衍生物用作用于形成超低介电层的模板衍生物。由其末端含有Si－H的反应性环糊精衍生物或反应性葡萄糖衍生物形成层，然后将所述层在过氧化氢气氛中固化以形成超低介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 超低介电层用 模板 衍生物 及其 超低介电层 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成超低介电层的模板衍生物，其包括由下式表示的环糊精衍生物：![]()
其中，在所述式中，n是6-8的整数，m表示1-3的整数。
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