[发明专利]Co-Fe-Zr系合金溅射靶材及其制造方法无效
| 申请号： | 200710180108.3 | 申请日： | 2007-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN101161854A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 福冈淳;高岛洋;上野友典;藤本光晴;上野英 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/14;B22F3/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种对用于垂直磁记录媒体的Co－Fe－Zr系合金的软磁性膜进行成膜的Co－Fe－Zr系合金溅射靶材，其目的在于提供一种具有良好的溅射特性的低导磁率的Co－Fe－Zr系合金溅射靶材及其制造方法。是原子比的组成式用(Cox－Fe100－x)100－(Y+Z)－ZrY－MZ、20≤X≤70；2≤Y≤15；2≤Z≤10表示的、所述组成式的M元素为从(Ti、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Si、Al、Mg)中选出的一种或两种以上的元素的溅射靶材；是显微组织中微细分散有由HCP－Co构成的相和以Fe为主体的合金相的溅射靶材。 | ||
| 搜索关键词： | co fe zr 合金 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Co-Fe-Zr系合金溅射靶材，其特征在于，原子比的组成式用(Cox-Fe100-x)100-(Y+Z)-ZrY-MZ表示，其中，20≤X≤70、2≤Y≤15、2≤Z≤10，所述组成式的M元素为从Ti、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Si、Al、Mg中选出的一种或两种以上的元素，在显微组织中，微细分散有由HCP-Co构成的相和以Fe为主体的合金相。
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