[发明专利]具有金属元件的集成电路有效
| 申请号： | 200710180154.3 | 申请日： | 2007-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN101207074A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 米尔可·沃格特;王永昌;斯蒂芬·哈特曼 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种集成电路工艺、一种集成电路和一种存储器元件。该集成电路包含有：基底、位于该基底上的金属元件，其中该金属元件包含金属材料，以及位于该金属元件上的复合元件，其中该复合元件包含该金属材料与掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属 元件 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路工艺，其中该集成电路包含金属元件，该工艺包含有：形成多层材料层，其中形成这些材料层的步骤包含有：提供基底，该基底上包含金属层，其中该金属层包含金属材料；形成第一复合材料层于该金属层上，其中该第一复合材料层包含该金属材料以及掺杂；形成第二复合材料层于该第一复合材料层上，其中该第二复合材料层与该第一复合材料层相邻，其中该第二复合材料层包含该掺杂以及掩模材料；形成第一掩模层于该第二复合材料层上；以及结构化这些材料层以形成该金属元件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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