[发明专利]半导体结构及制造多个鳍片场效应晶体管的方法

摘要

提供一种在半导体衬底上制造多个FinFET的方法，其中每个独立的FinFET的栅极宽度仅使用单次蚀刻工艺而不是两次或更多的蚀刻工艺定义。本发明的方法带来改善的栅极宽度控制和每个独立栅极的栅极宽度在衬底的整个表面上的较小变化。本发明的方法通过使用调整的侧壁影像转移(SIT)工艺实现上述目的，该工艺中，采用后来被栅导体代替的绝缘间隔件，且高密度的自底向上的氧化物填充用于从衬底隔离栅极。

主权项

1.一种在半导体衬底上制造多个FinFET的方法，包括：形成在所述半导体衬底上延伸的多个半导体体区，每个所述半导体体区包括其上的硬掩模材料以及每个所述半导体体区的侧壁上的绝缘间隔件；使所述半导体衬底的一部分凹陷以在每个所述半导体体区的印迹处形成基座区域；在包括所述基座区域的部分的所述半导体衬底的暴露表面上生长氧化物；在所述生长的氧化物上形成回蚀的各向异性氧化物；去除所述绝缘间隔件，其中在所述回蚀的各向异性氧化物和所述半导体体区之间形成间隙；以及形成栅电介质和栅导体，其中所述栅电介质存在于所述半导体体区的每个侧壁上。