[发明专利]芯片式平衡-不平衡变压器

摘要

本发明公开一种成形于N层连续隔离层中的芯片式平衡-不平衡变压器。该变压器包含主绕线以及次绕线。该主绕线包含多个第一半圈线圈、多个第二半圈线圈、多个金属结以及多个第一金属电桥。该次绕线包含多个第三半圈线圈、多个第四半圈线圈以及多个第二金属电桥。该第一半圈线圈与该第二半圈线圈是以该金属结以及该第一金属电桥连接。该第三半圈线圈与该第四半圈线圈是以该第二金属电桥连接。通过使用该多层的第一金属电桥，本发明的该变压器容许大于传统的芯片式变压器的输入电流。

主权项

1. 一种芯片式平衡-不平衡变压器，该芯片式平衡-不平衡变压器成形于N层连续隔离层中，该N层隔离层由上至下起算成形于半导体基材上或之上，N为大于4的整数，该芯片式平衡-不平衡变压器包含：第一绕线，包含：多个第一半圈线圈，该第一半圈线圈成形于该隔离层中的第一层隔离层上；多个第二半圈线圈，该第二半圈线圈大致与该第一半圈线圈对称，并且成形于该隔离层中的第一层隔离层上；多个金属结，该金属结成形于该隔离层中的第一层隔离层上，该金属结的每一个金属结连接该第一半圈线圈中的一个第一半圈线圈与该第二半圈线圈中的一个第二半圈线圈；以及多个第一导电段，该第一导电段成形于该隔离层中从第二层隔离层至第i层隔离层的各层上，i是范围由3至(N-1)中的整数指标，该第一导电段的每一个第一导电段是利用成形于该隔离层中的第一层隔离层至第(i-1)层隔离层中的多个第一贯孔，来连接该第一半圈线圈中的一个第一半圈线圈与该第二半圈线圈中的一个第二半圈线圈；以及第二绕线，包含：多个第三半圈线圈，该第三半圈线圈与该第一半圈线圈交错，并且成形于该隔离层中的第一层隔离层上；多个第四半圈线圈，该第四半圈线圈大致与该第三半圈线圈对称，与该第二半圈线圈交错，并且形于该隔离层中的第一层隔离层上；以及多个第二导电段，该第二导电段成形于该隔离层中的第(i+1)层隔离层上，该第二导电段中的每一个第二导电段是利用成形于该隔离层中的第一层隔离层至第i层隔离层中的多个第二贯孔，来连接该第三半圈线圈中的一个第三半圈线圈与该第四半圈线圈中的一个第四半圈线圈，或连接该第三半圈线圈中的一个第三半圈线圈与该第三半圈线圈中的另一个第三半圈线圈，或连接该第四半圈线圈中的一个第四半圈线圈与该第四半圈线圈中的另一个第四半圈线圈。