[发明专利]形成光刻和亚光刻尺寸结构的方法无效
| 申请号： | 200710180602.X | 申请日： | 2007-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN101162366A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | C·W·科布格尔三世;D·V·霍拉克;古川俊治 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种形成光刻和亚光刻尺寸结构的方法。所述方法包括：在基础层的顶表面上形成芯层然后在所述芯层的顶表面上形成掩蔽层；将所述掩蔽层构图为岛的图形；将所述岛的图形转移到所述芯层中以形成芯岛，在所述芯岛之间的间隔中暴露所述基础层的所述顶表面；在所述芯岛的侧壁上形成第一间隔物；去除所述芯岛，在所述第一间隔物之间的间隔中暴露所述基础层的所述顶表面；在所述第一间隔物的侧壁上形成第二间隔物；以及去除所述第一间隔物，在所述第二间隔物之间的间隔中暴露所述基础层的所述顶表面。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 光刻 尺寸 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括以下步骤：在基础层的顶表面上形成芯层然后在所述芯层的顶表面上形成掩蔽层；将所述掩蔽层构图为岛的图形；将所述岛的图形转移到所述芯层中以形成芯岛，在所述芯岛之间的间隔中暴露所述基础层的所述顶表面；在所述芯岛的侧壁上形成第一间隔物；去除所述芯岛，在所述第一间隔物之间的间隔中暴露所述基础层的所述顶表面；在所述第一间隔物的侧壁上形成第二间隔物；以及去除所述第一间隔物，在所述第二间隔物之间的间隔中暴露所述基础层的所述顶表面。
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