[发明专利]氮化硅只读存储器及其字线的制造方法

摘要

本发明涉及氮化硅只读存储器技术领域，公开了一种存储器的字线的形成方法，先在衬底上形成一层导体层，再形成一层金属硅化物层和一层掩模图案，以便用掩模图案定义出数个字线区域并露出金属硅化物层的部分表面。接着，在衬底上形成一层掩模衬层，覆盖掩模图案与金属硅化物层的表面，再对掩模衬层与掩模图案进行刻蚀制作工艺，直到露出金属硅化物层的部分表面，再以掩模衬层与掩模图案作为掩模，刻蚀金属硅化物层与导体层，以形成数条字线，其中金属硅化物层的硅含量控制在小于等于2原子数/分子，以降低存储器的字线之间的桥接故障率。

主权项

1、一种存储器的字线的形成方法，其特征在于，该方法包括：提供一导体层；在该导体层上形成一金属硅化物层；在该金属硅化物层上形成一掩模图案，以定义出多个字线区域并露出该金属硅化物层的部分表面；在该导体层上形成一掩模衬层，覆盖该掩模图案与该金属硅化物层的表面，以缩减该些字线区域之间的距离；对该掩模衬层与该掩模图案进行一刻蚀制作工艺，直到露出该金属硅化物层的部分表面；以及以该掩模衬层与该掩模图案作为掩模，刻蚀该金属硅化物层与该导体层，以形成多条字线，其中该金属硅化物层中的硅含量≤2原子数/分子，以降低该多条字线之间的桥接故障率。