[发明专利]第III主族金属氮化物晶体的高温高压生长无效
| 申请号： | 200710180864.6 | 申请日： | 2003-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN101230489A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 马克·P·德维利恩;史蒂文·W·韦布;苏尔什·S·瓦加拉利;亚武兹·卡迪奥格卢;朴东实;陈征 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B29/38;C30B9/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陈桉;封新琴 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明披露了形成至少一种第III主族金属氮化物单晶的方法，该方法包括下述步骤：将熔剂材料106和源材料102提供至反应器100，其中所述源材料包括至少一种选自铝、铟和镓的第III主族金属；密封所述反应器100；将所述反应器100加热至预定温度，将预定压力施加给所述反应器。所述预定压力足以抑制所述第III主族金属氮化物在预定温度下分解。本发明还披露了通过该方法形成的第III主族金属氮化物，以及具有第III主族金属氮化物基底的电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | iii 金属 氮化物 晶体 高温 高压 生长 | ||
【主权项】：
1.一种单晶或准单晶，其包括一种或多种氮化镓物质和内含物，其中该内含物包括选自：元素周期表的第I主族、第II主族、第III副族至第VII副族、第VIII副族、第I副族、第II副族和第VII主族中的一种或多种元素，并且该内含物存在的浓度大于总重量的约50ppm。
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