[发明专利]一种光传感器及其制造方法

摘要

一种制造光传感器的方法，此种制程方式仅利用一次微影制程，形成二极管结构。且此方式将源/漏极直接形成于栅极介电层上，以免除已知的插栓结构，并于源/漏极之一者上形成二极管堆迭，让光传感器结构更为简化。

主权项

1.一种制造光传感器的方法，该方法至少包含：提供一基板，该基板具有一切换元件区及一电子元件区；形成一栅极于该基板的该切换元件区上；依序形成一栅极介电层、一半导体层及一电性提升层，以覆盖该栅极与该基板；图案化该电性提升层及该半导体层，以于该栅极上方的该栅极介电层上形成一通道区；依序形成一第一导电层、多层元件作用层及一第二导电层，以覆盖该栅极介电层与该通道区；图案化该第二导电层及该些元件作用层，其中图案化后的该些元件作用层于该电子元件区处的第一导电层上形成一二极管堆迭，而图案化后的该第二导电层于该二极管堆迭上形成一光电极；图案化该第一导体层，以于该通道区上方两侧形成一源/漏极，并露出部份该电性提升层；形成一绝缘层，以覆盖该源/漏极、该二极管堆迭、以及该光电极；图案化该绝缘层，以于该绝缘层中形成一开口，且该开口暴露出该光电极；形成一第三导电层，以覆盖该绝缘层与该光电极；以及图案化该第三导电层，使图案化后的该第三导电层覆盖该源/漏极上方的部份该绝缘层，并且沿该开口与该光电极靠近该源/漏极的一侧相连。