[发明专利]具有球形凹入沟道的半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200710181155.X | 申请日： | 2007-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN101211788A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 李民镛;殷庸硕;朴东洙;张准洙 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 许向华;彭久云 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于制造具有球形凹入沟道的半导体器件的方法，包括：形成掩模层在半导体基板上，以暴露能够形成用于球形凹入沟道的沟槽的区域；形成沟槽在该半导体基板中；在半导体基板的暴露区域中，朝3－维径向以预定倾斜角注入掺杂离子；移除掩模层；形成栅极堆在包括沟槽的区域中；以及形成源极/漏极在半导体基板中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 球形 沟道 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造具有球形凹入沟道的半导体器件的方法，包括：形成掩模层在半导体基板上，以暴露能够形成用于球形凹入沟道的沟槽的区域；形成该沟槽在该半导体基板中；在该半导体基板的暴露区域中朝3-维径向以预定倾斜角注入掺杂离子；移除该掩模层；形成栅极堆在包括该沟槽的区域中；和形成源极/漏极在该半导体基板中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司，未经海力士半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710181155.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
