[发明专利]亚光刻纳米互联结构和形成该结构的方法有效
| 申请号： | 200710181170.4 | 申请日： | 2007-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN101165874A | 公开（公告）日： | 2008-04-23 |
| 发明（设计）人： | 杨海宁;李伟健 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 宋莉 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供使用能够通过利用预先制造的硬掩模图案来安置在特定位置的自组装嵌段共聚物，形成用于下一代半导体技术的包括纳米级如亚光刻的线和通孔的互联结构的方法。本发明的方法提供线自对准于孔的互联结构。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 纳米 联结 形成 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.形成互联结构的方法，其包括：提供包括位于介电材料上的已构图的硬掩模的结构，该硬掩模具有光刻所确定的开口；形成至少一种包括第一聚合组分和第二聚合组分的自组装嵌段共聚物，该共聚物嵌入到所述至少一个光刻所确定的开口之内；选择性地去除相对于另一种组分而言的所述第一或第二聚合组分中的一种，以在所述至少一种自组装嵌段共聚物中形成亚光刻开口；将所述亚光刻开口转移到所述介电材料中；以及用导电性材料来填装所述亚光刻开口。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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