[发明专利]静电卡盘的诊断方法、真空处理装置和存储介质有效
申请号: | 200710181281.5 | 申请日: | 2007-10-26 |
公开(公告)号: | CN101170057A | 公开(公告)日: | 2008-04-30 |
发明(设计)人: | 佐佐木康晴;冈城武敏 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/683;H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种静电卡盘的诊断方法,其利用简单的方法对静电卡盘的寿命进行预测。在利用设置在载置台上部的静电卡盘对基板进行静电吸附、并且对该基板进行等离子体处理时,定期地对基板进行作为相同的等离子体处理的诊断用方案,对向静电卡盘的表面与基板的背面之间的间隙供给的背面气体的压力进行调整,使得此时的各基板的温度成为规定温度,记录该调整后的背面气体的压力,对该背面气体的压力的经时变化进行监视,由此,能够简便地预测静电卡盘的寿命。 | ||
搜索关键词: | 静电 卡盘 诊断 方法 真空 处理 装置 存储 介质 | ||
【主权项】:
1.一种静电卡盘的诊断方法,对设置在真空容器内的载置台上、用于利用静电力对基板进行吸附保持的静电卡盘的调温性能的经时劣化进行诊断,其特征在于,包括:工序(a),在利用静电卡盘对基板进行吸附保持、并且向基板的背面与静电卡盘的表面之间供给用于调整基板的温度的调温气体的状态下,反复实施对基板进行真空处理的工序;工序(b),夹着该工序(a),将被静电卡盘吸附保持的基板暴露于使用诊断用的处理方案生成的气氛并且对该基板的温度进行检测,对所述调温气体的压力进行调整,使得温度检测值成为规定温度,并将此时的调温气体的压力值存储在存储部中;和工序(c),根据所述存储部中存储的调温气体的压力值,对所述静电卡盘的调温性能的劣化进行诊断。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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