[发明专利]制造具有凹陷栅极的半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200710181598.9 | 申请日： | 2007-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN101174563A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 赵瑢泰;金锡基;曹祥薰 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成硬掩模图案，利用硬掩模图案作为蚀刻阻挡物，在所述衬底内形成第一凹陷并在所述第一凹陷的侧壁上形成钝化层，和通过利用钝化层作为蚀刻阻挡物，蚀刻所述第一凹陷的底部以形成第二凹陷，其中第二凹陷的宽度大于第一凹陷的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 具有 凹陷 栅极 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：在衬底上形成硬掩模图案；利用所述硬掩模图案作为蚀刻阻挡物，在所述衬底内形成第一凹陷和在所述第一凹陷的侧壁上形成钝化层；和通过利用所述钝化层作为蚀刻阻挡物蚀刻所述第一凹陷的底部形成第二凹陷，其中所述第二凹陷的宽度大于所述第一凹陷的宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
