[发明专利]半导体结构的制造方法无效
| 申请号： | 200710181638.X | 申请日： | 2007-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN101261945A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 许昭顺;刘潮权;赵智杰;彭迈杉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L25/065;H01L23/488 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种半导体结构的制造方法。形成第一半导体芯片及与其相同的第二半导体芯片，其中第一及第二半导体芯片各包括：识别电路以及多个输入/输出导电路径。输入/输出导电路径连接至第一及第二半导体芯片单独的存储器电路，其中输入/输出导电路径包括硅沟道。将第二半导体芯片的识别电路编程为不同于第一半导体芯片的识别电路的状态。将第二半导体芯片接合至第一半导体芯片上，其中第一及第二半导体芯片垂直对准，且第一半导体芯片中的每一输入/输出导电路径连接至第二半导体芯片中对应的输入/输出导电路径。无须制造超过一组具有不同设计的存储器芯片。制造设备及工艺以及测试皆得以简化。不仅降低成本，还可改善存货及周期时间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的制造方法，包括：形成第一半导体芯片及相同于该第一半导体芯片的第二半导体芯片，其中该第一及该第二半导体芯片各包括：识别电路；以及多个输入/输出导电路径，连接至该第一及该第二半导体芯片单独的存储器电路，其中该多个输入/输出导电路径包括硅沟道；将该第二半导体芯片的该识别电路编程为不同于该第一半导体芯片的该识别电路的状态；以及将该第二半导体芯片接合至该第一半导体芯片上，其中该第一及该第二半导体芯片垂直对准，且该第一半导体芯片中的每一输入/输出导电路径连接至该第二半导体芯片中对应的输入/输出导电路径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
