[发明专利]制造碳化硅半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200710181792.7 | 申请日： | 2007-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN101174569A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 中村广希;市川宏之;奥野英一 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种制造具有MOS结构的碳化硅半导体器件的方法包括：制备由碳化硅制成的衬底(1)；以及形成沟道区(4)、第一杂质区(6、7)、第二杂质区(1、13)、栅极绝缘层(8)和栅电极(9)以在衬底(1)上形成半导体元件。另外，在半导体元件上形成膜以提供层间绝缘层(10)的材料，并在湿气氛中在大约700℃或以上的温度下执行回流工艺以便由该膜形成层间绝缘层(10)。此外，在执行回流工艺之后在惰性气体气氛中在大约700℃或以下执行脱水工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 碳化硅 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造具有金属-氧化物半导体结构的碳化硅半导体器件的方法，该方法包括：制备由碳化硅制成的衬底(1)；在所述衬底(1)上形成由碳化硅制成的沟道区(4)，其中所述沟道区提供电流通道；在所述衬底(1)上形成位于电流通道的上游侧上的第一杂质区(6、7)；在所述衬底(1)上形成位于所述电流通道的下游侧上的第二杂质区(1、13)；在所述沟道区(4)的表面上形成栅极绝缘层(8)；在所述栅极绝缘层(8)上形成栅电极(9)以形成半导体元件；在所述半导体元件上形成膜以提供层间绝缘层(10)的材料；在湿气氛中在大约700℃或以上的温度下执行回流工艺以便由所述膜形成所述层间绝缘层(10)；在执行回流工艺之后将温度降到大约700℃或以下；在温度降到大约700℃或以下之后将所述湿气氛改变为惰性气体气氛；以及在所述惰性气体气氛中执行脱水工艺以便使所述层间绝缘层脱水，其中：所述沟道区(4)提供所述半导体元件的沟道；并且通过控制施加到所述栅电极(9)的电压来控制所述沟道以便控制在所述第一杂质区(6、7)与所述第二杂质区(1、13)之间流动的电流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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