[发明专利]有机金属化合物

摘要

公开了用作前体，形成含金属粉末以及在基质上进行金属化学淀积，特别是用于适于生产电子器件的金属膜的化学蒸气沉积法的，源自VIIb，VIII，IX和X族金属的有机金属化合物。也公开它们的使用方法。优选的本发明有机金属化合物为式(R¹)_mM(PR²₃)_x化合物，其中M是选自锰，锝，铼，铁，钴，镍，钌，铑，钯，锇，铱和铂的金属，其中m是0，1，2，3或4；x是2，3，4或5以及m+x为2，3，4，5，6，7或8；m以及x按照各金属合适的化合价选择；各R¹独立地选自氢，氘，N₂，H₂，D₂以及各种取代的烷基；各R²独立地选自低级烷基，芳基，芳烷基，以及烷基－Z，芳基－Z以及芳烷基－Z；其中Z选自氧，甲硅烷基，甲硅烷氧基，氧代甲硅烷基，甲硅烷氧基，氧代甲硅烷氧基，甲硅烷基烷基，氧代甲硅烷基烷基，甲硅烷氧基烷基，氧代甲硅烷氧基烷基，甲硅烷基烷氧基，甲硅烷基烷氧基，甲硅烷氧基烷氧基以及氧代甲硅烷氧基烷氧基；以及其中当M是钴并且一个R¹选自N₂时，m是2并且第二个R¹是氢或氘。

主权项

1.式(R1)mM(PR23)x的有机金属化合物，其中M是选自锰，锝，铼，铁，钌，锇，镍，钯，和铂的金属；各R1独立地选自氢，氘，H2，D2以及式-CR32-CR32-R4基团，各R2独立地选自芳烷基，芳氧基，芳烷氧基，烷基甲硅烷基，芳基甲硅烷基，芳烷基甲硅烷基，烷氧基甲硅烷基，芳氧基甲硅烷基，芳烷氧基甲硅烷基，烷基甲硅烷氧基，芳基甲硅烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基，烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基，芳烷氧基甲硅烷氧基，烷基甲硅烷基烷基，芳基甲硅烷基烷基，芳烷基甲硅烷基烷基，烷氧基甲硅烷基烷基，芳氧基甲硅烷基烷基，芳烷氧基甲硅烷基烷基，烷基甲硅烷氧基烷基，芳基甲硅烷氧基烷基，芳烷基甲硅烷氧基烷基，烷氧基甲硅烷氧基烷基，芳氧基甲硅烷氧基烷基，芳烷氧基甲硅烷氧基烷基，烷基甲硅烷基烷氧基，芳基甲硅烷基烷氧基，芳烷基甲硅烷基烷氧基，烷氧基甲硅烷基烷氧基，芳氧基甲硅烷基烷氧基，芳烷氧基甲硅烷基烷氧基，烷基甲硅烷氧基烷氧基，芳基甲硅烷氧基烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基烷氧基，以及芳烷氧基甲硅烷氧基烷氧基；各R3独立地选自氢，氘，C1-C6烷基，C1-C6环烷基，苯基，苄基，(C1-C2烷基或烷氧基)3-甲硅烷基，以及(C1-C2烷基或烷氧基)3-甲硅烷氧基以及其中至少两个R3选自氢和氘；R4为氢或氘；以及其中(a)当M是锰，锝或铼时，m是1；x是5以及m+x是6；以及其中所述的R2基团不完全一样；以及(b)当M是铁，钌或锇时，m是0，1，2，3或4；x是2，3，4或5以及m+x是4，5，6或7；以及其中所述的R2不完全一样；以及(c)当M是镍，钯或铂时，m是0或2，x是2，3或4以及m+x是2，3，4，5或6；以及其中所述的R2不完全一样。