[发明专利]半导体器件及其形成方法无效
| 申请号： | 200710181855.9 | 申请日： | 2007-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN101165875A | 公开（公告）日： | 2008-04-23 |
| 发明（设计）人： | 郭东华;朴载宽;沈载煌;金镇瑚;金奇南 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 黄启行;穆德骏 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 在一个实施例中，半导体器件包括奇数接触和各个奇数线。通过执行刻蚀工艺，在奇数线的侧壁上形成隔层，并且形成用于偶数线的偶数开口。在偶数开口中形成偶数接触并且随后形成偶数线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成半导体器件的方法，该方法包括：在基板上形成绝缘层，所述基板包括多个第一区域和多个第二区域，至少一个第二区域设置在相邻的第一区域之间；在所述绝缘层上形成多个第一导电线，第一导电线通过穿过所述绝缘层的各个第一接触而电气连接到各个第一区域；在所述多个第一导电线的侧壁上形成多个隔层；通过移除所述多个隔层中的相邻隔层之间的绝缘层的部分，在相邻的第一接触之间形成多个接触孔，所述接触孔使各个第二区域暴露；并且形成填充各个接触孔的多个第二接触，并且形成电气连接到各个第二接触的多个第二导电线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
