[发明专利]显示装置的制造方法以及蚀刻设备有效
| 申请号： | 200710181907.2 | 申请日： | 2007-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN101162703A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 田中幸一郎;森末将文 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/84;H01L21/28;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在绝缘层的开口形成区域上与绝缘层接触地配置管子，并且经过该管子将处理剂(蚀刻气体或蚀刻液)喷出到绝缘层上。借助于喷出了的处理剂(蚀刻气体或蚀刻液)选择性地去除绝缘层，以在绝缘层中形成开口。因此，具有开口的绝缘层形成在第一导电层上，从而位于绝缘层下的第一导电层露出在开口的底面。在开口中与露出了的第一导电层接触地形成第二导电层，而在设置于绝缘层中的开口中使第一导电层和第二导电层电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 制造 方法 以及 蚀刻 设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：形成第一导电层；在所述第一导电层上形成绝缘层；配置与所述绝缘层接触的管子；通过所述管子向所述绝缘层供应处理剂，以在所述绝缘层中形成到达所述第一导电层的开口；以及至少在所述开口中形成与所述第一导电层接触的第二导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
